▲傳中國可生產8奈米、8奈米以下晶片。（示意圖／路透）
文／中央社
中國晶片研發技術突破的相關消息近期獲得關注，傳言稱中國可生產8奈米及以下晶片，也有企業申請極紫外光（EUV）設備專利。有專家認為這樣的說法有待商榷，且生產良率才是關鍵。
中國工信部近日公布重大技術裝備推廣應用指導目錄，其中兩台曝光機被外界解讀為中國已取得重大技術突破，可生產8奈米及以下晶片的說法甚囂塵上；另據德國之聲報導，上海微電子向中國國家智慧財產權局申請了一系列EUV技術專利，可能意味著掌握了製造7奈米及以下晶片的關鍵能力。
同時，華為去年推出旗艦機Mate 60 Pro，據傳搭載中芯國際自製的7奈米晶片，以及今年上半年傳的沸沸揚揚，直指中芯國際在沒有EUV曝光機情況下，成功自製5奈米晶片並投產，將搭載於年底發售的華為Mate 70系列，這些相關說法又再次被提及。
一時之間，中國研發技術突破美國封鎖的討論引起中國與國外市場關注，更有許多中國民眾在社群平台上「大肆慶祝」。
雖然民間大肆宣揚，但是中國官方在此事上卻顯得相對低調。截至目前，除了工信部發布的目錄外，尚無中國官方與廠商宣布這項消息，也未有實際的應用公開。
事實上，自美中科技戰開打以來，中國過去一段時間曾多次提及「突破技術封鎖」，然而實際狀況卻是「只聞樓梯響」。
以這次受到關注的上海微電子為例，根據公開資訊，最早曾在2020年6月初，宣布將在2021至2022年間交付第一台中國自製的28奈米浸潤式曝光機，編號為SSA/800-10W，然而隨後這項消息便不了了之。直到2023年5月，市場上又再傳出，28奈米曝光機即將問世，同年12月，上海張江集團透過微信公眾號稱「上海微電子已成功研製出28奈米曝光機」，但不久後便將相關文字刪除。
截至目前，上海微電子官方網站的產品介紹，仍未見SSA/800-10W。
根據中國半導體科技媒體「芯智訊」報導，從工信部日前發布的曝光機參數來看，雖然相比上微的SSA600曝光機有所提升，但是並未達到可以生產28奈米晶片的程度，更遑論製造8奈米、7奈米晶片的程度。
這篇報導指出，會傳出這樣的消息應是網友誤會了參數所代表的含意。
另針對華為與中芯國際在晶片技術上取得突破技術封鎖並擁有關鍵技術一事，英國廣播公司（BBC）中文網報導引述半導體研究者、新加坡國立大學商學院和李光耀公共政策學院講師卡布利（Alex Capri）指出，目前還沒有決定性證據表示華為擁有這些關鍵技術的全本土供應鏈，可能是找到了有效規避出口管制的方法，繼續獲得關鍵的外國技術。
他說，「華為自給自足的敘述，相當程度上宣傳了美國出口管制的失敗，這給中國技術官僚提供了巨大的內外宣價值」，因此在這樣的情形之下，華為不能公開手機晶片及各種技術參數。
另據路透社去年9月在Mate 60 Pro發售後的一篇報導指出，中芯國際7奈米製程的良率低於50%，而業界標準為90%或更高，這個情況將大幅限制晶片的出貨量並影響到手機產量。
標題：中國晶片研發技術「突破至7奈米」？ 專家：良率才是關鍵
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