（中央社記者張榮祥台南26日電）國立成功大學晶體研究中心今天在南科台達大樓開幕，也是目前國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構，將讓台灣半導體材料技術再突破。
在教育部主任祕書林柏樵、國科會自然科學及永續研究發展處長賴明治等人見證下，成大晶體研究中心今天開幕，同時展示最新SiC與氧化鎵晶體技術，未來將攜手全球產業夥伴加速技術轉移，推動SiC與氧化鎵（Ga₂O₃）材料在半導體、光學、雷射及醫療領域應用，提升台灣競爭力。
成大指出，晶研中心已突破高溫SiC晶體生長技術瓶頸，可生長大尺寸、高純度SiC晶體，為台灣半導體與功率元件產業提供關鍵材料，將大幅提升電動車、5G通訊、高效能電源管理等應用效能，協助台灣產業搶佔全球市場先機。
此外，晶研中心也在氧化鎵領域取得重大進展，氧化鎵因擁有超寬能隙特性，被視為下一代高功率電子元件重要材料；透過特殊設計熔融法生長技術，團隊已成功製備出高品質氧化鎵晶體，加速商業化應用，助攻台灣關鍵產業升級。
成大表示，晶研中心積極拓展國際布局，已在立陶宛和拉脫維亞設立研究據點，攜手當地團隊開發高功率薄片雷射系統（TDL），並取得重要技術成果，有望應用於先進雷射醫療、精密加工及光通訊等領域，進一步鞏固台灣在國際晶體技術市場競爭優勢。（編輯：李淑華）1140226
標題：成大晶研中心開幕 台灣半導體材料技術再突破
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